在针形钨丝微电极的植入过程中,很容易发生电极轴的弯曲。而电极轴的弯曲对于精确定位记录或刺激是不利的。尤其是对于基于脆性材料 制作的针形微电极,电极轴的弯曲会使电极轴断裂而导致电极植入失败。对于细长的电极轴来说,在施加一定强度纵向力的情况下,其抗弯曲强度可由下面公式来估计:
这单Pc代表可导致电极轴弯曲的最小纵向力的值。E为电极轴材料的杨氏模量;I为电机轴的转动惯量,与电极轴直径相关;L为电极轴长度。
从上式可以看出,对于相同几何形状和尺寸的针形微电极来说,其植入时的抗弯曲强度与其材料的杨氏模量有很大关系。由于金属钨具有极大的杨氏模量(E =410 GPa),几乎是所有金属材料中最大的(仅次于铱),远远大于硅(E = 190 GPa)的杨氏模量,所以钨丝针形微电极的抗弯曲强度要优于基于硅基的针形微电极。


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