钨丝作为电光源材料问世已经70多年了。1918年生产出高温抗下垂钨丝。后来经过大量的实验发现,导致钨丝具有抗下垂性能的原因是在还原工序之前有少量的Si、Al、K氧化物掺入了氧化钨之中。自此之后,各国相继进行了大量的研究工作,提出了各种理论。
第一次还原温度对掺杂钨丝的高温抗蠕变性能有显著影响。钨丝抗蠕变性能与其钾含量密切相关,而钾含量主要取决于掺杂效应和掺杂机制。当掺杂机制以B-w至a-w相变为主时,垂熔过程中K残留6O~7Owt.%;当掺杂机制以颗粒长大为主时,K只能残留3O~40wt.%。成串排列的掺杂泡阻碍再结晶过程中钨晶界的横向运动。
| 抗下垂钨丝 |
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