惨杂钨丝垂熔过程中渗杂剂的挥发

惨杂钨丝垂熔过程中渗杂剂的挥发中，Si和A1的掺杂效应与K相似。其数量分别为120~240ppm和40~80ppm。垂熔钨条里的K含量与T1的关系见图3。各标号钨条的A1含量均小于lOppm,Si含量均小于14ppm。可见，掺杂进钨粉颗粒内部的Si和Al在垂熔过程中已挥发殆尽，只有相当数量的K残留下来。

残留在钨条里的K与掺杂进钨粉颗粒内部的钾的重量百分比与T1的关系见图4。该图表明，当T1<600℃时，这时掺杂效应的机制以颗粒长大机制为主，K大约残留30~40wt.%，当630<T1<710℃时，这时掺杂效应的机制以相变机制为主，K大约残留60~70wt.%。